与来视讯科技公司-汕尾龙腾一级 m104gnx1 r1

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为实现大面积高解析度的液晶显示，通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上，目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题，先后---了合金法 （如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等） 和夹层法 （如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等），合金法在工艺上相对比较简单，但材料的电阻率较高 。1998 年5 月，ibm 利用al- nd 合金作为栅电极，开发出 16 . 3 英寸解析度（200ppi）a- si tft 显示器，并已---生产 。1999 年4月， 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga（3 ， 200 ×2 ， 400）a- si tft- lcd，可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的i高水平。

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tft-lcd液晶显示器的结构与tn-lcd液晶显示器基本相同，只不过将tn-lcd上夹层的电极改为fet晶体管，而下夹层改为共通电极。tft-lcd液晶显示器的工作原理与tn-lcd却有许多不同之处。tft-lcd液晶显示器的显像原理是采用“背透式”照射方式。当光源照射时，先通过下偏光板向上透出，借助液晶分子来传导光线。由于上下夹层的电极改成fet电极和共通电极，在fet电极导通时，液晶分子的排列状态同样会发生改变，也通过遮光和透光来达到显示的目的。但不同的是，由于fet晶体管具有电容效应，能够保持电位状态，先前透光的液晶分子会一直保持这种状态，直到fet电极下一次再加电改变其排列方式为止。