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tft 生产技术为的部分是光刻工艺,它既是决定产品品质的重要环节,也是影响产品成本的关键部分。而在光刻工艺中,1024*768 m104gnx1r1,受人们关注的就是掩模版,其在很大程度上决定了tft- lcd 的品质,而其使用数量的减少可有效削减设备投资、缩短生产周期。随着 tft 结构的变化和生产工艺的改进,其制造过程中使用掩模版的数量也在相应地减少。由此可见,tft 生产工艺从早期的 8掩模版或 7掩模版光刻工艺发展到目前普遍采用的5掩模版或 4掩模版光刻工艺,---地缩减了 tft- lcd 生产周期和生产成本。
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为实现大面积高解析度的液晶显示,通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上,目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题,先后---了合金法 (如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等) 和夹层法 (如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等),合金法在工艺上相对比较简单,但材料的电阻率较高 。1998 年5 月,ibm 利用al- nd 合金作为栅电极,开发出 16 . 3 英寸解析度(200ppi)a- si tft 显示器,并已---生产 。1999 年4月, 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga(3 , 200 ×2 , 400)a- si tft- lcd,可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的
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lcd的可视角度是一个让人头疼的问题,当背光源通过偏极片、液晶和取向层之后,输出的光线便具有了方向性。也就是说大多数光都是从屏幕中垂直射出来的,所以从某一个较大的角度观看液晶显示器时,便不能看到原本的颜色,甚至只能看到全白或全黑。为了解决这个问题,制造厂商们也着手开发广角技术,到目前为止有三种比较流行的技术,分别是:tn+film、ips(in-plane -switching)和mva(multi-domain vertical alignment)。
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