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为实现大面积高解析度的液晶显示,通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上,目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题,先后---了合金法 (如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等) 和夹层法 (如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等),合金法在工艺上相对比较简单,但材料的电阻率较高 。1998 年5 月,ibm 利用al- nd 合金作为栅电极,开发出 16 . 3 英寸解析度(200ppi)a- si tft 显示器,并已---生产 。1999 年4月, 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga(3 , 200 ×2 , 400)a- si tft- lcd,可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的
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