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tft 生产技术为的部分是光刻工艺，它既是决定产品品质的重要环节，也是影响产品成本的关键部分。而在光刻工艺中，受人们关注的就是掩模版，其在很大程度上决定了tft- lcd 的品质，而其使用数量的减少可有效削减设备投资、缩短生产周期。随着 tft 结构的变化和生产工艺的改进，其制造过程中使用掩模版的数量也在相应地减少。由此可见，tft 生产工艺从早期的 8掩模版或 7掩模版光刻工艺发展到目前普遍采用的5掩模版或 4掩模版光刻工艺，---地缩减了 tft- lcd 生产周期和生产成本。
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为实现大面积高解析度的液晶显示，通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上，目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题，先后---了合金法 （如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等） 和夹层法 （如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等），合金法在工艺上相对比较简单，但材料的电阻率较高 。1998 年5 月，ibm 利用al- nd 合金作为栅电极，开发出 16 . 3 英寸解析度（200ppi）a- si tft 显示器，并已---生产 。1999 年4月， 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga（3 ， 200 ×2 ， 400）a- si tft- lcd，可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的
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