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为实现大面积高解析度的液晶显示,通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上,目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题,先后---了合金法 (如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等) 和夹层法 (如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等),合金法在工艺上相对比较简单,但材料的电阻率较高 。1998 年5 月,ibm 利用al- nd 合金作为栅电极,开发出 16 . 3 英寸解析度(200ppi)a- si tft 显示器,并已---生产 。1999 年4月, 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga(3 , 200 ×2 , 400)a- si tft- lcd,可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的
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在tn与stn型的液晶显示器中,所使用单纯驱动电极的方式,都是采用x、y轴的交叉方式来驱动,如下图所示,因此如果显示部分越做越大的话,那么中心部分的电极反应时间可能就会比较久。而为了让屏幕显示一致,整体速度上就会变慢。讲的简单一点,就好像是crt显示器的屏幕更新频率不够快,那是使用者就会感到屏幕闪烁、跳动;或着是当需要快速3d动画显示时,但显示器的显示速度却无法跟上,显示出来的要果可能就会有---的现象。所以,早期的液晶显示器在尺寸上有一定的---,而且并不适合拿来看电影、或是玩3d游戏。
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tft-lcd液晶显示器的结构与tn-lcd液晶显示器基本相同,只不过将tn-lcd上夹层的电极改为fet晶体管,而下夹层改为共通电极。tft-lcd液晶显示器的工作原理与tn-lcd却有许多不同之处。tft-lcd液晶显示器的显像原理是采用“背透式”照射方式。当光源照射时,先通过下偏光板向上透出,借助液晶分子来传导光线。由于上下夹层的电极改成fet电极和共通电极,在fet电极导通时,ivo总代理,液晶分子的排列状态同样会发生改变,也通过遮光和透光来达到显示的目的。但不同的是,由于fet晶体管具有电容效应,能够保持电位状态,先前透光的液晶分子会一直保持这种状态,直到fet电极下一次再加电改变其排列方式为止。
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