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tft-lcd液晶显示器的结构与tn-lcd液晶显示器基本相同,只不过将tn-lcd上夹层的电极改为fet晶体管,而下夹层改为共通电极。tft-lcd液晶显示器的工作原理与tn-lcd却有许多不同之处。tft-lcd液晶显示器的显像原理是采用“背透式”照射方式。当光源照射时,先通过下偏光板向上透出,借助液晶分子来传导光线。由于上下夹层的电极改成fet电极和共通电极,在fet电极导通时,液晶分子的排列状态同样会发生改变,也通过遮光和透光来达到显示的目的。但不同的是,由于fet晶体管具有电容效应,能够保持电位状态,先前透光的液晶分子会一直保持这种状态,直到fet电极下一次再加电改变其排列方式为止。
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tn、stn及tft型液晶显示器因其利用液晶分子扭转原理之不同,在视角、彩色、对比及动画显示品质上有高低程次之差别,使其在产品的应用范围分类亦有明显区隔。以目前液晶显示技术所应用的范围以及层次而言,主动式矩阵驱动技术是以薄膜式晶体管型(tft)为主流,多应用于笔记型计算机及动画、影像处理产品。而单纯矩阵驱动技术目前则以扭转向列(tn)、以及超扭转向列(stn)为主,目前的应用多以文书处理器以及消费性产品为主。在这之中,tft液晶显示器所需的资金投入以及技术需求较高,而tn及stn所需的技术及资金需求则相对较低。
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为实现大面积高解析度的液晶显示,通常需要采用低阻抗金属材料、开关元件以及高精细加工技术等手段。在低阻抗金属制作 tft 总线上,目前研究和使用较多的材料是铝。通过围绕解决铝易形成小丘、化学腐蚀以及氧化等问题,先后---了合金法 (如 al- cu、al- si、al- nd以及 al- ti 等) 和夹层法 (如 mo/al/mo、cr/al/cr以及 ti/al/ti 等),合金法在工艺上相对比较简单,但材料的电阻率较高 。1998 年5 月,龙腾m101gwt9 r3,ibm 利用al- nd 合金作为栅电极,开发出 16 . 3 英寸解析度(200ppi)a- si tft 显示器,并已---生产 。1999 年4月, 东 芝 推 出 的 20.8 英寸16- svga(3 , 200 ×2 , 400)a- si tft- lcd,可谓是代表了 a- si tft- lcd 在高解析度和高容量方面的
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